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来源：内容编译自Yole。

近日，Yole发布了其首份射频行业现状报告。他们表示：在新整合和全球竞争时代，到2030年市场规模将达到700亿美元。

Yole指出，5G 和未来的 6G 推动了移动设备对集成射频前端 (RFFE) 的需求，该前端集成了功率放大器 (PA)、滤波器和开关。在基础设施方面，5G 大规模 MIMO 天线依赖于 GaN，并正在逐渐取代功率放大器 (PA) 的 LDMOS。汽车越来越多地集成蜂窝、Wi-Fi 和 GNSS 连接，以实现远程信息处理和信息娱乐。Wi-Fi 和蓝牙正在消费电子、汽车、可穿戴设备和智能家居系统中不断扩展。Wi-Fi 6/7 对于智能手机至关重要，而传统 Wi-Fi 通常足以满足可穿戴设备和智能家居的需求。超宽带 (UWB) 在智能手机、智能家居和汽车中的应用正在增长。汽车雷达发展迅速，支持高级驾驶辅助系统 (ADAS)，从而提高安全性和舒适性。国防系统依赖于宽带和高频射频器件。雷达、电子战和卫星通信领域对 GaN 的采用正在增加。

射频设备市场正在稳步增长，预计总价值将从 2024 年的 510 亿美元增长到 2030 年的 710 亿美元。这一增长是由各种射频技术对高性能、集成和可扩展的射频解决方案日益增长的需求推动的。

射频前端 (RFFE) 模块对移动设备至关重要。其应用范围不断扩大，预计到 2024 年将达到数十亿个。集成蜂窝、Wi-Fi/蓝牙、GNSS 和 UWB 的射频 SoC 凭借其紧凑的尺寸和多功能性，在消费电子、移动和物联网系统中日益普及。分立式 RFFE 组件在所有 RF 设计中仍然至关重要，在出货量方面占据最大份额。最后，RFIC 在 5G、卫星通信、电信基础设施和雷达等先进应用中发挥着关键作用，预计到 2030 年其出货量和销售额将实现强劲增长。

美国领先创新、中国奋起直追，欧洲优势仍在

美国在移动和消费级射频市场占据领先地位，高通、博通、Skyworks 和 Qorvo 等公司提供先进的射频前端 (RFFE) 模块和系统级芯片 (SoC)。中国正在与卓胜微电子和海思等公司合作，构建自己的供应链，旨在减少对进口的依赖。

移动和消费领域引领着射频市场，在收入和销量方面均占据最高份额。高通、博通、Skyworks 和 Qorvo 等美国巨头占据主导地位，为智能手机和联网设备提供先进的射频前端 (RFFE) 模块和射频系统级芯片 (SoC)。与此同时，三星和联发科则以不同的集成策略服务于亚洲各地的大批量市场。

在电信领域，传统的美国、欧洲和日本公司占据主导地位，但中国凭借本土的GaN和LDMOS供应商正在快速发展。所有主要地区都将6G视为未来经济和领导力的战略重点。在这个领域，GaN技术正在逐步取代大规模MIMO基站中的LDMOS。恩智浦、Qorvo、SEDI和Analog Devices等公司在全球引领着这一市场。然而，中国正在与三安集成电路、Wuatek和Dynax等供应商合作，扩大基于GaN的射频解决方案和LDMOS的国内生产。全球6G竞赛如今已成为射频主权战略的关键驱动力，美国、中国、日本、韩国和欧洲都在推进由政府支持的6G项目。

在汽车领域，欧洲处于领先地位，恩智浦和英飞凌提供强大的雷达和V2X解决方案。射频 (RF) 在汽车 ADAS、信息娱乐和车联网领域日益重要。恩智浦和英飞凌科技凭借 SiGe、CMOS 解决方案和基于 GaAs 的雷达 IC 占据领先地位。与此同时，UWB 的采用也在加速，苹果、Qorvo 和恩智浦已成为智能手机、智能家居和汽车生态系统的基石。

消费类射频领域的领导者也通过射频前端模块和分立器件支持汽车远程信息处理和信息娱乐系统。中国也正在进入这个市场。

在国防领域美港通配资，Qorvo、Macom 和 Analog Devices 等美国公司凭借用于雷达、电子战和卫星系统的 GaN 占据领先地位，在该领域，射频创新专注于雷达、卫星通信和电子战的高功率宽带系统。基于GaN的设计再次主导了这一市场领域。与此同时，工业和医疗应用优先考虑可靠性和低功耗，但认证周期较长。而欧洲和日本虽然拥有重要的 OEM 厂商，但在半导体方面缺乏独立性。

工业和医疗射频市场规模较小且较为分散。总体而言，美国在射频集成方面处于领先地位，中国推动本土供应增长，欧洲专注于自主研发，而日本和韩国则以射频滤波器和SoC为支撑。

射频设计中的半导体竞赛：在集成度和性能之间做出选择

射频芯片分为硅基和化合物半导体两种。由于成本和集成度的原因，硅基（CMOS、RF-SOI、FD-SOI、SiGe、BAW）占据主导地位，而化合物半导体（例如 GaAs 和 GaN）则因其高功率、高频率和高性能而被广泛采用。根据系统需求，这些技术越来越多地被结合使用。

GaAs 广泛应用于移动和 Wi-Fi 的功率放大器 (PA)，其供应链主要由美国和台湾企业主导。GaN 凭借其强大的性能，成为高功率电信、雷达和卫星通信系统的关键材料。

RF SOI 和 FD-SOI 可实现高效的开关、LNA 和收发器。SOI 兼具良好的模拟性能、集成能力和可扩展性。SiGe 平衡了性能和成本，连接了 CMOS 和 GaAs，但市场扩展仍然有限。LDMOS 由于其成熟度和成本效益，仍然用于基站中 3 GHz 以下的功率放大器 (PA)。CMOS 在移动和无线应用的低成本、大批量 RF SoC 方面处于领先地位，而 FinFET 则支持用于高性能 5G 和未来 6G 系统的更先进的 SoC。

SAW滤波器通常用于较低频率，其生产主要由日本厂商主导。BAW滤波器对中频段5G和Wi-Fi 6/7至关重要，它支持更佳的性能和频率共存，主要由美国和日本厂商供应。这两种滤波器对于现代无线设备中干净高效的射频信号路径都至关重要。

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